Fujitsu inicia produção de memória que possui mil vezes o desempenho da DRAM

IDG News Service

31/08/2016 - 16h48

 

Fabricante japonesa anunciou que está produzindo em massa a memória não-volátil conhecida como Nano-RAM

A Fujistu anunciou que está produzindo em massa uma nova memória RAM que possui mil vezes o desempenho da DRAM, mas armazena dados como a memória flash NAND. 

 

A nova memória não-volátil conhecida como Nano-RAM (NRAM) foi anunciada pela primeira vez no ano passado e é baseada na tecnologia de nanotubos de carbono. A NRAM é composta por uma matriz de tecido de nanotubos de carbono.

 

A fabricante japonesa planeja desenvolver um módulo de memória e armazenamento usando a interface DDR4 até o final de 2018, com o objetivo de ampliar a linha de produtos em uma família de produtos NRAM independente. 

 

De acordo com Nantero, a empresa que inventou a NRAM, sete fábricas em várias partes do mundo experimentaram a nova memória no ano passado. E outras fabricantes de chips ainda não anunciadas já estão aumentando a produção nos bastidores. 

 

A Fujitsu pretende fabricar inicialmente a NRAM usando um processo de 55 nanometros (nm), que se refere ao tamanho dos transistores usados ​​para armazenar bits de dados. 

 

Naquele tamanho, os módulos de memória inicial só serão capazes de armazenar megabytes de dados. No entanto, a empresa também planeja a próxima versão de processo de 40nm NRAM, de acordo com Greg Schmergel, CEO da Nantero. 

 

Inicialmente, os produtos NRAM provavelmente serão voltados para data centers e os servidores. Mas com o tempo eles poderiam encontrar seu caminho para o mercado consumidor e até mesmo em dispositivos móveis. Isso por que a tecnologia usa o poder em femtojoules e não requer operações de limpeza de dados em segundo plano, como flash NAND faz. A NRAM também poderia estender a vida da bateria de um dispositivo móvel em modo de espera durante meses, disse Schmergel. 

 

Atualmente, a NRAM está sendo produzida como um produto de memória planar, células de memória que são dispostas horizontalmente em um plano bidimensional. 

 

Assim como a indústria flash NAND, a Nantero está desenvolvendo uma arquitetura de três dimensões (3D) de múltiplas camadas que visa aumentar significativamente a densidade da memória. 

 

Fonte: IDG Now